InfoMat刊发研究所选通管机理最新成果
团队成果获中国半导体十大研究进展
基于MoTe2的超快相变存储器件
全世界功耗最低的相变存储器
研究所可重构忆阻器工作被IEDM接收
《科学》刊发ISMD团队的感存算一体研究成果
研究所在忆阻器存内计算研究领域取得重要进展
基于低维HfSeO的超低功耗忆阻逻辑器件
用于强化学习的可重构双WSe2晶体管突触单元
研究所物理不可克隆函数研究工作登《先进电子材料》封面
LiAlOx高性能忆阻突触研究刊登Nanoscale封面
新型相变存储材料刊登《JMCC》封面
我校与新思科技成立微纳电子设计联合实验室
蔡少棠忆阻器研究中心成立大会在华科成功举办
研究所光电突触晶体管工作登《Nanoscale》封面
Adv.Funct.Mater.刊登忆阻存算一体化研究
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