新闻网讯（通讯员 杨泉琳）近日，被誉为“芯片奥林匹克”的IEEE国际固态电路会议（ISSCC）2026中国区发布会成功召开，会上揭晓最新一届会议的论文录用结果，并分享全球芯片领域的前沿动态。我校集成电路学院毕晓君教授团队研究论文被录取，是raybet电竞竞猜app首次在ISSCC以第一作者单位获得论文录取，实现历史性突破。

论文题为：“一款基于45 nm CMOS SOI工艺的2×500 Gb/s单片集成硅光密集波分复用PAM-4收发机芯片” （A 2×500Gb/s Monolithic Silicon-Photonic DWDM PAM-4 Transceiver in 45nm CMOS SOI），共同第一作者为集成电路学院博士研究生徐子昂、林亚龙、金锦玄、叶镇恺。

论文展示的成果聚焦于高速收发机电芯片设计，面向芯片间互连光接口（OIO）应用，创新性地提出集成带宽拓展通道和在片波长锁定单元的密集波分复用（DWDM）收发机结构，包括：PAM-4跨阻放大器、驱动放大器、波长锁定回路等子单元。基于45 nm CMOS SOI光电全集成加工工艺，芯片实现了单片1Tbps的传输速率。对比同行已发表的光电融合集成收发机芯片工作，取得显著提升的单通道速率及高能效。

据悉，工作对应的光验证芯片设计由我校光电信息学院张敏明教授团队负责，湖北九峰山实验室在芯片测试上提供了大力支持。本届ISSCC收到全球共1025篇投稿论文，最终仅有257篇论文入选，每篇论文都代表着当前芯片领域最前沿的研究成果。