新闻网讯 11月12日，第十一届国际第三代半导体论坛暨第二十二届中国国际半导体照明论坛在厦门举行。论坛开幕式上，“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”重磅发布，武汉光电国家研究中心戴江南教授团队联合我校鄂州工研院、武汉优炜芯科技有限公司完成的“AlGaN基远紫外光源芯片发光效率增强关键技术”项目成功入选，项目主要完成人为戴江南、彭洋、魏御繁、高志伟、郑刚、陈长清。
研究团队创新设计了芯片刻蚀反射阵列结构，提升了紫外芯片电光转换效率；首创了协同散射光子调控策略，提高了紫外芯片光提取效率；制备了晶圆级介质纳米结构，提升了紫外芯片输出光功率。基于以上成果，本团队最终突破了230nm远紫外光源毫瓦级输出的国际难题，成功研制出峰值波长230nm、输出功率2.8mW的AlGaN基远紫外micro-LED，为目前毫瓦级micro-LED报道的最短波长。该技术突破了AlGaN基远紫外光源芯片发光效率增强关键技术瓶颈，为提高更短波长紫外光源芯片的光电性能提供了新的思路，为我国在第三代半导体紫外光电器件领域实现自主创新与产业应用奠定了坚实基础。
“中国第三代半导体技术十大进展”由第三代半导体产业技术创新战略联盟发起，旨在把握行业前沿，激励技术创新。本届评选共征集43项有效成果，经程序委员会初评、专家终评层层筛选，最终推选出十大突破性进展。
